ECH8601M-TL-H-P - ON Semiconductor

Número de pieza: ECH8601M-TL-H-P
Fabricante: ON Semiconductor
Breve descripción: MOSFET 2N-CH
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza	ECH8601M-TL-H-P
Estado de la pieza	Last Time Buy
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	24V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potencia - Max	-
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor	8-ECH
Peso	-
País de origen	-

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