DTA113EET1G - ON Semiconductor

Número de pieza	DTA113EET1G
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios)	1k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios)	1k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	3 @ 5mA, 10V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic	250mV @ 5mA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo)	500nA
Frecuencia - Transición	-
Potencia - Max	200mW
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SC-75, SOT-416
Paquete de dispositivo del proveedor	SC-75
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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