PDTA113ES,126

PDTA113ES,126 - NXP USA Inc.

Número de pieza
PDTA113ES,126
Fabricante
NXP USA Inc.
Breve descripción
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4200 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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PDTA113ES,126 Descripción detallada

Número de pieza PDTA113ES,126
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 1k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 1k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 40mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 150mV @ 1.5mA, 30mA
Corriente - corte de colector (máximo) 1µA
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max 500mW
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Paquete de dispositivo del proveedor TO-92-3
Peso -
País de origen -

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