MRF6VP2600HR6 - NXP USA Inc.

Número de pieza: MRF6VP2600HR6
Fabricante: NXP USA Inc.
Breve descripción: FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - RF
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 121 pcs
Precio de referencia: USD 219.6354/pcs
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Número de pieza	MRF6VP2600HR6
Estado de la pieza	Last Time Buy
Tipo de transistor	LDMOS (Dual)
Frecuencia	225MHz
Ganancia	25dB
Voltaje - Prueba	50V
Valoración actual	-
Figura de ruido	-
Actual - Prueba	2.6A
Salida de potencia	125W
Voltaje - Clasificación	110V
Paquete / caja	NI-1230
Paquete de dispositivo del proveedor	NI-1230
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
MRF6V10010NR4	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5	Detalles
MRF6V10250HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.09GHZ NI780S	Detalles
MRF6V10250HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.09GHZ NI780S	Detalles
MRF6V12250HR3	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780	Detalles
MRF6V12250HR5	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780	Detalles
MRF6V12250HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S	Detalles
MRF6V12250HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S	Detalles
MRF6V12500GSR5	NXP USA Inc.	PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE	Detalles
MRF6V12500HR3	NXP USA Inc.	FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H	Detalles
MRF6V12500HR5	NXP USA Inc.	FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H	Detalles