MRF6V3090NBR5 - NXP USA Inc.

Número de pieza: MRF6V3090NBR5
Fabricante: NXP USA Inc.
Breve descripción: FET RF 110V 860MHZ TO272-4
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - RF
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 125 pcs
Precio de referencia: USD 77.2916/pcs
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Número de pieza	MRF6V3090NBR5
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	LDMOS
Frecuencia	860MHz
Ganancia	22dB
Voltaje - Prueba	50V
Valoración actual	-
Figura de ruido	-
Actual - Prueba	350mA
Salida de potencia	18W
Voltaje - Clasificación	110V
Paquete / caja	TO-272BB
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-272 WB-4
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
MRF6V10010NR4	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5	Detalles
MRF6V10250HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.09GHZ NI780S	Detalles
MRF6V10250HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.09GHZ NI780S	Detalles
MRF6V12250HR3	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780	Detalles
MRF6V12250HR5	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780	Detalles
MRF6V12250HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S	Detalles
MRF6V12250HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S	Detalles
MRF6V12500GSR5	NXP USA Inc.	PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE	Detalles
MRF6V12500HR3	NXP USA Inc.	FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H	Detalles
MRF6V12500HR5	NXP USA Inc.	FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H	Detalles