BLF6G10LS-200,118 - NXP USA Inc.

Número de pieza: BLF6G10LS-200,118
Fabricante: NXP USA Inc.
Breve descripción: FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: BLF6G10LS-200,118 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: BLF6G10LS-200,118.pdf
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - RF
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 4002 pcs
Precio de referencia: USD 0/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	BLF6G10LS-200,118
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de transistor	LDMOS
Frecuencia	871.5MHz
Ganancia	20.2dB
Voltaje - Prueba	28V
Valoración actual	49A
Figura de ruido	-
Actual - Prueba	1.4A
Salida de potencia	40W
Voltaje - Clasificación	65V
Paquete / caja	SOT-502B
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT502B
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
BLF6G10-135RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A	Detalles
BLF6G10-160RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A	Detalles
BLF6G10-200RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A	Detalles
BLF6G10-45,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A	Detalles
BLF6G10-45,135	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A	Detalles
BLF6G10L-260PBM,11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V SOT1110A	Detalles
BLF6G10L-260PBM:11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V SOT1110A	Detalles
BLF6G10L-260PRN,11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A	Detalles
BLF6G10L-260PRN:11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A	Detalles
BLF6G10L-40BRN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A	Detalles