A2G22S251-01SR3 - NXP USA Inc.

Número de pieza: A2G22S251-01SR3
Fabricante: NXP USA Inc.
Breve descripción: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - RF
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 1432 pcs
Precio de referencia: USD 114.90588/pcs
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Número de pieza	A2G22S251-01SR3
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	LDMOS
Frecuencia	1.805GHz ~ 2.2GHz
Ganancia	17.7dB
Voltaje - Prueba	48V
Valoración actual	-
Figura de ruido	-
Actual - Prueba	200mA
Salida de potencia	52dBm
Voltaje - Clasificación	125V
Paquete / caja	NI-400S-2S
Paquete de dispositivo del proveedor	NI-400S-2S
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	A2G22S160-01SR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	Detalles
	A2G22S251-01SR3	NXP USA Inc.	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR	Detalles