PRMD13Z - Nexperia USA Inc.

Número de pieza	PRMD13Z
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	50V
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic	100mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo)	1µA
Frecuencia - Transición	230MHz
Potencia - Max	480mW
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	6-XFDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor	DFN1412-6
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
PRM110	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM>1GHZ U.FL ANT	Detalles
PRM111	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM>1GHZ CHIP ANT	Detalles
PRM112	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM>1GHZ U.FL ANT	Detalles
PRM113	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM>1GHZ CHIP ANT	Detalles
PRM120	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM>1GHZ U.FL ANT	Detalles
PRM121	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM>1GHZ CHIP ANT	Detalles
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PRM123	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM>1GHZ CHIP ANT	Detalles
PRM210	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM<1GHZ U.FL ANT	Detalles
PRM211	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM<1GHZ CHIP ANT	Detalles