| Número de pieza | 74HCT4316PW,118 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Circuito de conmutación | SPST - NO |
| Circuito multiplexor / demultiplexor | 1:1 |
| Cantidad de circuitos | 4 |
| Resistencia en estado (Máx) | 135 Ohm |
| Coincidencia de canal a canal (& Delta; Ron) | 6 Ohm |
| Voltaje: suministro, individual (V +) | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Voltaje - Suministro, Dual (V ±) | ±1 V ~ 5 V |
| Tiempo de cambio (Ton, Toff) (Max) | 42ns, 34ns |
| Ancho de banda de -3db | 160MHz |
| Inyección de carga | - |
| Capacitancia de canal (CS (apagado), CD (apagado)) | 3.5pF |
| Current - Leakage (IS (off)) (Max) | 100nA |
| Diafonía | -60dB @ 1MHz |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Paquete / caja | 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 16-TSSOP |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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74HCT00BQ,115 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DHVQFN | Detalles |
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74HCT00BQ-Q100,115 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DQFN | Detalles |
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74HCT00D | Toshiba Semiconductor and Storage | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC | Detalles |
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74HCT00D(BJ) | Toshiba Semiconductor and Storage | IC GATE NAND QUAD 2 IN 14SOIC | Detalles |
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74HCT00D,652 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | Detalles |
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74HCT00D,653 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | Detalles |
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74HCT00D-Q100,118 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | Detalles |
