| Número de pieza | JANTXV2N2919 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 60V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 10µA (ICBO) |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
| Potencia - Max | 350mW |
| Frecuencia - Transición | - |
| Temperatura de funcionamiento | 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-78-6 Metal Can |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-78-6 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Detalles |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Detalles |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Detalles |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Detalles |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Detalles |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Detalles |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Detalles |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Detalles |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Detalles |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Detalles |
