APTM50H14FT3G - Microsemi Corporation

Número de pieza: APTM50H14FT3G
Fabricante: Microsemi Corporation
Breve descripción: MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza	APTM50H14FT3G
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	26A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	168 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3259pF @ 25V
Potencia - Max	208W
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	SP3
Paquete de dispositivo del proveedor	SP3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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