APTGT50H60T3G

APTGT50H60T3G - Microsemi Corporation

Número de pieza
APTGT50H60T3G
Fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
5 pcs
Precio de referencia
USD 60.07/pcs
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APTGT50H60T3G Descripción detallada

Número de pieza APTGT50H60T3G
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Full Bridge Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
Potencia - Max 176W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Corriente - corte de colector (máximo) 250µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC Yes
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja SP3
Paquete de dispositivo del proveedor SP3
Peso -
País de origen -

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