APTGT35DA120D1G - Microsemi Corporation

Número de pieza: APTGT35DA120D1G
Fabricante: Microsemi Corporation
Breve descripción: IGBT 1200V 55A 205W D1
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza	APTGT35DA120D1G
Estado de la pieza	Discontinued at Digi-Key
Tipo de IGBT	Trench Field Stop
Configuración	Single
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	1200V
Current - Collector (Ic) (Max)	55A
Potencia - Max	205W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 35A
Corriente - corte de colector (máximo)	5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce	2.5nF @ 25V
Entrada	Standard
Termistor NTC	No
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	D1
Paquete de dispositivo del proveedor	D1
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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