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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › APT6030BN
APT6030BN

APT6030BN - Microsemi Corporation

Número de pieza
APT6030BN
Fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
APT6030BN Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
APT6030BN.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4201 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
Nuestro precio
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APT6030BN Descripción detallada

Número de pieza APT6030BN
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 23A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 210nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 11.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247AD
Paquete / caja TO-247-3
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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