| Número de pieza | APT33N90JCU2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 33A |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | Super Junction |
| Disipación de potencia (Máx) | 290W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 26A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-227 |
| Paquete / caja | SOT-227-4, miniBLOC |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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APT30D100BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | Detalles |
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APT30D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247 | Detalles |
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APT30D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247 | Detalles |
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APT30D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | Detalles |
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APT30D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247 | Detalles |
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APT30D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | Detalles |
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APT30D20BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | Detalles |
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APT30D20BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | Detalles |
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APT30D20BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 30A TO247 | Detalles |
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APT30D30BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247 | Detalles |
