APT30GP60LDLG - Microsemi Corporation

Número de pieza: APT30GP60LDLG
Fabricante: Microsemi Corporation
Breve descripción: IGBT 600V 100A 463W TO264
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: APT30GP60LDLG Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Transistores - IGBT - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 2530 pcs
Precio de referencia: USD 10.0117/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	APT30GP60LDLG
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de IGBT	PT
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	600V
Current - Collector (Ic) (Max)	100A
Corriente - colector pulsado (Icm)	120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 30A
Potencia - Max	463W
Conmutación de energía	260µJ (on), 250µJ (off)
Tipo de entrada	Standard
Cargo de puerta	90nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C	13ns/55ns
Condición de prueba	400V, 30A, 5 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / caja	TO-264-3, TO-264AA
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-264
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
APT30D100BCAG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247	Detalles
APT30D100BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247	Detalles
APT30D100BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247	Detalles
APT30D100BHBG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247	Detalles
APT30D120BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247	Detalles
APT30D120BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247	Detalles
APT30D20BCAG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247	Detalles
APT30D20BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247	Detalles
APT30D20BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 30A TO247	Detalles
APT30D30BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247	Detalles