| Número de pieza | MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Tamaño de la memoria | 16Gb (256M x 64) |
| Frecuencia de reloj | 1866MHz |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | - |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | - |
| Suministro de voltaje | 1.1V |
| Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / caja | - |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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MT53B256M16D1Z00MWC1 | Micron Technology Inc. | LPDDR4 4G DIE 256MX16 | Detalles |
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MT53B256M32D1DS-062 AAT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Detalles |
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MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Detalles |
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MT53B256M32D1DS-062 AIT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Detalles |
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MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Detalles |
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MT53B256M32D1DS-062 AUT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Detalles |
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MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Detalles |
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MT53B256M32D1DS-062 XT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Detalles |
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MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Detalles |
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MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B | Micron Technology Inc. | LPDDR4 256MX64 WFB | Detalles |
