MT46V128M4CY-5B:J - Micron Technology Inc.

Número de pieza: MT46V128M4CY-5B:J
Fabricante: Micron Technology Inc.
Breve descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Memoria
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 14705 pcs
Precio de referencia: USD 12.44745/pcs
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Número de pieza	MT46V128M4CY-5B:J
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Volatile
Formato de memoria	DRAM
Tecnología	SDRAM - DDR
Tamaño de la memoria	512Mb (128M x 4)
Frecuencia de reloj	200MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	15ns
Tiempo de acceso	700ps
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	2.5V ~ 2.7V
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje	-
Paquete / caja	-
Paquete de dispositivo del proveedor	-
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
MT46V128M4BN-5B:F	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA	Detalles
MT46V128M4BN-5B:F TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA	Detalles
MT46V128M4BN-6:D	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA	Detalles
MT46V128M4BN-6:D TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA	Detalles
MT46V128M4BN-6:F	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA	Detalles
MT46V128M4BN-6:F TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA	Detalles
MT46V128M4BN-75:D	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 60FBGA	Detalles
MT46V128M4BN-75:D TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 60FBGA	Detalles
MT46V128M4CY-5B:J	Micron Technology Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ	Detalles
MT46V128M4CY-5B:J TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ	Detalles