MT41K512M8V90BWC1

MT41K512M8V90BWC1 - Micron Technology Inc.

Número de pieza
MT41K512M8V90BWC1
Fabricante
Micron Technology Inc.
Breve descripción
IC DRAM 4G PARALLEL
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Memoria
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
43930 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
Nuestro precio
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MT41K512M8V90BWC1 Descripción detallada

Número de pieza MT41K512M8V90BWC1
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria DRAM
Tecnología SDRAM - DDR3L
Tamaño de la memoria 4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página -
Tiempo de acceso -
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.283V ~ 1.45V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje -
Paquete / caja -
Paquete de dispositivo del proveedor -
Peso -
País de origen -

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