MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F - Micron Technology Inc.

Número de pieza: MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F
Fabricante: Micron Technology Inc.
Breve descripción: IC FLASH 6G LPDDR2 6G 162VFBGA
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Memoria
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 3436 pcs
Precio de referencia: USD 7.5938/pcs
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Número de pieza	MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Non-Volatile
Formato de memoria	FLASH, RAM
Tecnología	FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Tamaño de la memoria	4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Frecuencia de reloj	533MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	-
Tiempo de acceso	-
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	1.8V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	-
Paquete / caja	-
Paquete de dispositivo del proveedor	-
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 6G DDR2	Detalles
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MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR	Micron Technology Inc.	MASSFLASH/LPDDR2 6G	Detalles
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ	Detalles
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ	Detalles
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F	Micron Technology Inc.	IC FLASH	Detalles
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH	Detalles
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F	Micron Technology Inc.	IC FLASH 6G LPDDR2 6G 162VFBGA	Detalles
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR	Micron Technology Inc.	MASSFLASH/LPDDR2 6G	Detalles
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U	Micron Technology Inc.	IC FLASH 8G DDR	Detalles