MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR - Micron Technology Inc.

Número de pieza: MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR
Fabricante: Micron Technology Inc.
Breve descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Memoria
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 8217 pcs
Precio de referencia: USD 22.27217/pcs
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Número de pieza	MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Non-Volatile
Formato de memoria	FLASH
Tecnología	FLASH - NAND
Tamaño de la memoria	512Gb (64G x 8)
Frecuencia de reloj	333MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	-
Tiempo de acceso	-
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	2.5V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje	-
Paquete / caja	-
Paquete de dispositivo del proveedor	-
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512GBIT 167MHZ 132LBGA	Detalles
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ	Detalles
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152LBGA	Detalles
MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512GBIT 167MHZ TLGA	Detalles
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MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512GBIT 267MHZ 132VBGA	Detalles
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