MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR - Micron Technology Inc.

Número de pieza: MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR
Fabricante: Micron Technology Inc.
Breve descripción: IC FLASH 3TBIT 267MHZ 132LBGA
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Memoria
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 137 pcs
Precio de referencia: USD 196.83/pcs
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Número de pieza	MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Non-Volatile
Formato de memoria	FLASH
Tecnología	FLASH - NAND
Tamaño de la memoria	3Tb (384G x 8)
Frecuencia de reloj	267MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	-
Tiempo de acceso	-
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	2.7 V ~ 3.6 V
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje	-
Paquete / caja	-
Paquete de dispositivo del proveedor	-
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 3TBIT 267MHZ 272TBGA	Detalles
MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 3TBIT 267MHZ 272TBGA	Detalles
MT29F3T08EQHBBG2-3R:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 3TBIT 333MHZ 272TBGA	Detalles
MT29F3T08EQHBBG2-3RES:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 3TBIT 333MHZ 272TBGA	Detalles
MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 3TBIT 267MHZ 132LBGA	Detalles
MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 3TBIT 267MHZ 132LBGA	Detalles
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B	Micron Technology Inc.	IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ	Detalles
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 3TBIT 333MHZ 132LBGA	Detalles
MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 3TBIT 333MHZ 132LBGA	Detalles