MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Descripción detallada
| Número de pieza |
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B |
| Estado de la pieza |
Obsolete |
| Tipo de memoria |
Non-Volatile |
| Formato de memoria |
FLASH |
| Tecnología |
FLASH - NAND |
| Tamaño de la memoria |
4Tb (512G x 8) |
| Frecuencia de reloj |
333MHz |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página |
- |
| Tiempo de acceso |
- |
| interfaz de memoria |
Parallel |
| Suministro de voltaje |
2.5 V ~ 3.6 V |
| Temperatura de funcionamiento |
0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje |
- |
| Paquete / caja |
- |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
- |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
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