SI2312-TP - Micro Commercial Co

Número de pieza	SI2312-TP
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	865pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	350mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 4.3A, 1.8V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23
Paquete / caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SI2018	SI	SI2018 SI QFN-16 New Original Stocks	Detalles
SI2031	SI	SI2031 SI TSSOP1.. New Original Stocks	Detalles
SI2032	SI	SI2032 SI QFN-12 New Original Stocks	Detalles
SI21108DT-T1-E3	VISHAY	SI21108DT-T1-E3 VISHAY SOP-8 New Original Stocks	Detalles
SI2111-A10-GM	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-T 48-QFN	Detalles
SI2111-A10-GMR	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-T 48-QFN	Detalles
SI2113-A10-GM	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-C 48-QFN	Detalles
SI2113-A10-GMR	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-C 48-QFN	Detalles
SI2115-A10-GM	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-T/C 48-QFN	Detalles
SI2115-A10-GMR	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-T/C 48-QFN	Detalles