| Número de pieza | BAS40TW-TP |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Configuración de Diodo | 3 Independent |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 200mA |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 40mA |
| Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 5ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200nA @ 30V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-363 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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BAS4 | GE | Schottky Diodes | Detalles |
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BAS40 | NXP | BAS40 NXP SOT-23 New Original Stocks | Detalles |
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BAS40 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23 | Detalles |
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BAS40,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23 | Detalles |
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BAS40,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23 | Detalles |
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BAS40-00-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23 | Detalles |
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BAS40-00-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23 | Detalles |
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BAS40-00-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23 | Detalles |
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BAS40-00-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23 | Detalles |
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BAS40-00-GS08 | VISHAY | BAS40-00-GS08 VISHAY SOT23 New Original Stocks | Detalles |
