MRF6S18060MBR1 - FREESCALE

Número de pieza: MRF6S18060MBR1
Fabricante: FREESCALE
Breve descripción: RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs IC
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Semiconductores IC
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 84500 pcs
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Número de pieza	MRF6S18060MBR1
Package Type	SMD or Through Hole
Rohs Status	Lead free / RoHS Compliant
Description	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs IC
MFG Part Code	MRF6S18060MBR1
Series	MRF6S1806
Delivery Time	1 Day
Caracteristicas	-
voltaje	-
Date Code	New
Tipo de montaje	-
Temperatura de funcionamiento	-
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1
Corriente	-
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
MRF6S18060MBR1	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs IC	Detalles
MRF6S18060NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4	Detalles
MRF6S18060NR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4	Detalles
MRF6S18100NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.99GHZ TO2724	Detalles
MRF6S18100NR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.99GHZ TO2704	Detalles
MRF6S18140HR3	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.88GHZ NI880	Detalles
MRF6S18140HR5	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.88GHZ NI880	Detalles
MRF6S18140HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.88GHZ NI880S	Detalles
MRF6S18140HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.88GHZ NI880S	Detalles
MRF6S19060GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.93GHZ TO-270-2 GW	Detalles