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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - RF › NPT1007B
NPT1007B

NPT1007B - M/A-Com Technology Solutions

Número de pieza
NPT1007B
Fabricante
M/A-Com Technology Solutions
Breve descripción
TRANSISTOR GAN DC-1200MHZ 200W
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
NPT1007B Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
NPT1007B.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - RF
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
325 pcs
Precio de referencia
USD 775.27/pcs
Nuestro precio
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NPT1007B Descripción detallada

Número de pieza NPT1007B
Estado de la pieza Last Time Buy
Tipo de transistor HEMT
Frecuencia 900MHz
Ganancia 18.3dB
Voltaje - Prueba 28V
Valoración actual 20.5A
Figura de ruido -
Actual - Prueba 1.4A
Salida de potencia 53dBm
Voltaje - Clasificación 100V
Paquete / caja -
Paquete de dispositivo del proveedor -
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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