| Número de pieza | JANTXV2N5339 |
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| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 100V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 1.2V @ 500mA, 5A |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 100µA |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 2A, 2V |
| Potencia - Max | 1W |
| Frecuencia - Transición | - |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-39 (TO-205AD) |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Detalles |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Detalles |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Detalles |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Detalles |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Detalles |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Detalles |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Detalles |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Detalles |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Detalles |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Detalles |
