| Número de pieza | JANTX1N6324 |
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| Estado de la pieza | Active |
| Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
| Tolerancia | ±5% |
| Potencia - Max | 500mW |
| Impedancia (Máx.) (Zzt) | 6 Ohm |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 10V |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.4V @ 1A |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-35 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Detalles |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Detalles |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Detalles |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Detalles |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Detalles |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Detalles |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Detalles |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Detalles |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Detalles |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Detalles |
