| Número de pieza | IXDN602SIA |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Configuración Impulsada | Low-Side |
| Tipo de canal | Independent |
| Cantidad de controladores | 2 |
| Tipo de puerta | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Suministro de voltaje | 4.5 V ~ 35 V |
| Voltaje lógico - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Actual - Salida máxima (Fuente, Sumidero) | 2A, 2A |
| Tipo de entrada | Non-Inverting |
| Alto voltaje lateral - Máx. (Bootstrap) | - |
| Tiempo de subida / bajada (Tipo) | 7.5ns, 6.5ns |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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