IXDI602SIATR Descripción detallada
Número de pieza |
IXDI602SIATR |
Estado de la pieza |
Active |
Configuración Impulsada |
Low-Side |
Tipo de canal |
Independent |
Cantidad de controladores |
2 |
Tipo de puerta |
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
Suministro de voltaje |
4.5 V ~ 35 V |
Voltaje lógico - VIL, VIH |
0.8V, 3V |
Actual - Salida máxima (Fuente, Sumidero) |
2A, 2A |
Tipo de entrada |
Inverting |
Alto voltaje lateral - Máx. (Bootstrap) |
- |
Tiempo de subida / bajada (Tipo) |
7.5ns, 6.5ns |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Paquete / caja |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete de dispositivo del proveedor |
8-SOIC |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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