IXDF602SI Descripción detallada
| Número de pieza |
IXDF602SI |
| Estado de la pieza |
Active |
| Configuración Impulsada |
Low-Side |
| Tipo de canal |
Independent |
| Cantidad de controladores |
2 |
| Tipo de puerta |
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Suministro de voltaje |
4.5 V ~ 35 V |
| Voltaje lógico - VIL, VIH |
0.8V, 3V |
| Actual - Salida máxima (Fuente, Sumidero) |
2A, 2A |
| Tipo de entrada |
Inverting, Non-Inverting |
| Alto voltaje lateral - Máx. (Bootstrap) |
- |
| Tiempo de subida / bajada (Tipo) |
7.5ns, 6.5ns |
| Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje |
Surface Mount |
| Paquete / caja |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
8-SOIC-EP |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
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