VMO550-01F - IXYS

Número de pieza	VMO550-01F
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	590A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6V @ 110mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2000nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	50000pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 mOhm @ 500mA, 10V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	Y3-DCB
Paquete / caja	Y3-DCB
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	VMO550-01F	IXYS	MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB	Detalles
	VMO580-02F	IXYS	MOSFET N-CH 200V 580A MODULE	Detalles