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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - IGBT - Módulos › MKI100-12F8
MKI100-12F8

MKI100-12F8 - IXYS

Número de pieza
MKI100-12F8
Fabricante
IXYS
Breve descripción
MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 125A E3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
MKI100-12F8 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
196 pcs
Precio de referencia
USD 131.09/pcs
Nuestro precio
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MKI100-12F8 Descripción detallada

Número de pieza MKI100-12F8
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT NPT
Configuración Full Bridge Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 125A
Potencia - Max 640W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 100A
Corriente - corte de colector (máximo) 1.3mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja E3
Paquete de dispositivo del proveedor E3
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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