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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › IXTY06N120P
IXTY06N120P

IXTY06N120P - IXYS

Número de pieza
IXTY06N120P
Fabricante
IXYS
Breve descripción
MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IXTY06N120P Navegación en línea de PDF
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-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4453 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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IXTY06N120P Descripción detallada

Número de pieza IXTY06N120P
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 90A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
País de origen -

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