IXTX120P20T - IXYS

Número de pieza	IXTX120P20T
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	120A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	740nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	73000pF @ 25V
Vgs (Max)	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 60A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PLUS247™-3
Paquete / caja	TO-247-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXTX102N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247	Detalles
IXTX110N20L2	IXYS	MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247	Detalles
IXTX120N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247	Detalles
IXTX120P20T	IXYS	MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247	Detalles
IXTX170P10P	IXYS	MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247	Detalles
IXTX17N120L	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247	Detalles
IXTX1R4N450HV	IXYS	2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR	Detalles
IXTX200N10L2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247	Detalles
IXTX20N150	IXYS	MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247	Detalles
IXTX210P10T	IXYS	MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247	Detalles