IXTV02N250S - IXYS

Número de pieza	IXTV02N250S
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	2500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	200mA (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	116pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 Ohm @ 50mA, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PLUS-220SMD
Paquete / caja	PLUS-220SMD
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXTV02N250S	IXYS	MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220	Detalles
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IXTV102N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220	Detalles
IXTV102N25T	IXYS	MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220	Detalles
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