IXTF230N085T - IXYS

Número de pieza	IXTF230N085T
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	85V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	130A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	187nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9900pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.3 mOhm @ 50A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	ISOPLUS i4-PAC™
Paquete / caja	i4-Pac™-5
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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