IXFX12N90Q - IXYS

Número de pieza	IXFX12N90Q
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 6A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PLUS247™-3
Paquete / caja	TO-247-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXFX100N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247	Detalles
IXFX100N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247	Detalles
IXFX120N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247	Detalles
IXFX120N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247	Detalles
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IXFX120N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 120A TO-247	Detalles
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IXFX12N90Q	IXYS	MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247	Detalles
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