IXFT18N90P - IXYS

Número de pieza	IXFT18N90P
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	18A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	97nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5230pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 500mA, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-268
Paquete / caja	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXFT100N30X3HV	IXYS	300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	Detalles
IXFT10N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268	Detalles
IXFT120N15P	IXYS	MOSFET N-CH 150V 120A TO-268	Detalles
IXFT120N25X3HV	IXYS	250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	Detalles
IXFT120N30X3HV	IXYS	300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	Detalles
IXFT12N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268	Detalles
IXFT12N100F	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 12A TO268	Detalles
IXFT12N100Q	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 12A TO268	Detalles
IXFT12N90Q	IXYS	MOSFET N-CH 900V 12A TO-268	Detalles
IXFT13N100	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268	Detalles