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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › IXFR120N20
IXFR120N20

IXFR120N20 - IXYS

Número de pieza
IXFR120N20
Fabricante
IXYS
Breve descripción
MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IXFR120N20 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
IXFR120N20.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
1463 pcs
Precio de referencia
USD 18.2743/pcs
Nuestro precio
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IXFR120N20 Descripción detallada

Número de pieza IXFR120N20
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 105A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 360nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9100pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 60A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor ISOPLUS247™
Paquete / caja ISOPLUS247™
Peso -
País de origen -

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