IXFP130N10T2 - IXYS

Número de pieza	IXFP130N10T2
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	130A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6600pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.1 mOhm @ 65A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / caja	TO-220-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXFP102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A TO-220	Detalles
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