IXFH100N30X3 - IXYS

Número de pieza	IXFH100N30X3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	300V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7.66nF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	480W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / caja	TO-247-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXFH100N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-247	Detalles
IXFH100N30X3	IXYS	300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	Detalles
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