IXFE36N100 - IXYS

Número de pieza	IXFE36N100
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	33A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	455nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	15000pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	580W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 18A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-227B
Paquete / caja	SOT-227-4, miniBLOC
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXFE180N10	IXYS	MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227	Detalles
IXFE180N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227	Detalles
IXFE23N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227	Detalles
IXFE24N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227	Detalles
IXFE34N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227	Detalles
IXFE36N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227	Detalles
IXFE39N90	IXYS	MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227	Detalles
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IXFE44N50QD2	IXYS	MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B	Detalles
IXFE44N50QD3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B	Detalles