IXFB300N10P - IXYS

Número de pieza	IXFB300N10P
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	300A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	279nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	23000pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 50A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PLUS264™
Paquete / caja	TO-264-3, TO-264AA
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXFB100N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264	Detalles
IXFB100N50Q3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264	Detalles
IXFB110N60P3	IXYS	MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264	Detalles
IXFB120N50P2	IXYS	MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264	Detalles
IXFB132N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264	Detalles
IXFB150N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264	Detalles
IXFB170N30P	IXYS	MOSFET N-CH TO-264	Detalles
IXFB210N20P	IXYS	MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264	Detalles
IXFB210N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264	Detalles
IXFB300N10P	IXYS	MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264	Detalles