IXFA36N20X3 - IXYS

Número de pieza	IXFA36N20X3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1425pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	176W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-263AA
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXFA102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK	Detalles
IXFA10N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK	Detalles
IXFA10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-263	Detalles
IXFA110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK	Detalles
IXFA12N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK	Detalles
IXFA12N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	Detalles
IXFA130N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK	Detalles
IXFA130N10T2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA	Detalles
IXFA130N15X3	IXYS	MOSFET N-CH	Detalles
IXFA14N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK	Detalles