IXD611S1T/R Descripción detallada
| Número de pieza |
IXD611S1T/R |
| Estado de la pieza |
Obsolete |
| Configuración Impulsada |
Half-Bridge |
| Tipo de canal |
Independent |
| Cantidad de controladores |
2 |
| Tipo de puerta |
IGBT, N-Channel MOSFET |
| Suministro de voltaje |
10 V ~ 35 V |
| Voltaje lógico - VIL, VIH |
2.4V, 2.7V |
| Actual - Salida máxima (Fuente, Sumidero) |
600mA, 600mA |
| Tipo de entrada |
Non-Inverting |
| Alto voltaje lateral - Máx. (Bootstrap) |
600V |
| Tiempo de subida / bajada (Tipo) |
28ns, 18ns |
| Temperatura de funcionamiento |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje |
Surface Mount |
| Paquete / caja |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
8-SOIC |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
PRODUCTOS RELACIONADOS PARA IXD611S1T/R
