IX2R11S3T/R Descripción detallada
| Número de pieza |
IX2R11S3T/R |
| Estado de la pieza |
Obsolete |
| Configuración Impulsada |
Half-Bridge |
| Tipo de canal |
Independent |
| Cantidad de controladores |
2 |
| Tipo de puerta |
IGBT, N-Channel MOSFET |
| Suministro de voltaje |
10 V ~ 35 V |
| Voltaje lógico - VIL, VIH |
6V, 9.6V |
| Actual - Salida máxima (Fuente, Sumidero) |
2A, 2A |
| Tipo de entrada |
Non-Inverting |
| Alto voltaje lateral - Máx. (Bootstrap) |
500V |
| Tiempo de subida / bajada (Tipo) |
8ns, 7ns |
| Temperatura de funcionamiento |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje |
Surface Mount |
| Paquete / caja |
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
16-SOIC |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
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