DSEI2X61-10B - IXYS

Número de pieza	DSEI2X61-10B
Estado de la pieza	Active
Configuración de Diodo	2 Independent
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V
Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo)	60A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	2.3V @ 60A
Velocidad	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	50ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	3mA @ 1000V
Temperatura de funcionamiento - unión	-
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-227B
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
DSEI 2X61-02A	IXYS	DIODE MODULE 200V 71A SOT227B	Detalles
DSEI-2X61-06C	IXYS	DSEI-2X61-06C IXYS SMD or Through Hole New Original Stocks	Detalles
DSEI12-06A	IXYS	DIODE GEN PURP 600V 14A TO220AC	Detalles
DSEI12-10A	IXYS	DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC	Detalles
DSEI12-12A	IXYS	DIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO220AC	Detalles
DSEI120-06A	IXYS	DIODE GEN PURP 600V 77A TO247AD	Detalles
DSEI120-12A	IXYS	DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AD	Detalles
DSEI19-06AS	IXYS	DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AA	Detalles
DSEI19-06AS-TUB	IXYS	DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AA	Detalles
DSEI20-12A	IXYS	DIODE GEN PURP 1.2KV 17A TO220AC	Detalles