SPW12N50C3FKSA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: SPW12N50C3FKSA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-247
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	SPW12N50C3FKSA1
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	560V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11.6A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 7A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO247-3
Paquete / caja	TO-247-3
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SPW12N50C3FKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-247	Detalles